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              固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识 搭载QLC颗粒的固态硬盘Z怎么样?

              2019-07-03 09:45:36 装机之家 / 晓龙

              如今,固态硬盘的发展迅速,技术也逐步成熟,对于选购固态硬盘不再只是容量选择的那么简单,更多人群更在意的是性能与颗粒类型,而对于SSD颗粒类型,相信不少用户对QLC、SLC、MLC、TLC颗粒类型一无所知,而尤其是最新推出的搭载QLC颗粒的固态硬盘来说,不少用户称QLC颗粒不好。那么QLC颗粒怎么样?下面分享一下固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识。


              固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

              根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC(四层存储单元)。固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据,里面存放数据最小单位叫作“Cell”,SLC每个cell可以存放1bit数据,MLC每个cell可以存放2bit数据,TLC每个cell可以存放3bit数据,而QLC可以存放4bit数据。

              为了小白更好的理解其中的意义,我来举个例子,我们将芯片可以看做一张画满格子的纸张,cell相当于纸张上的一个个的格子,数据看做是一个黄豆。也就是说,SLC方案每个格子中只能放入一颗黄豆,所以存储空间较小,MLC方案每个格子可以放入两颗黄豆,TCL方案每个格子可以放入三颗黄豆,而QLC方案每个格子可以存放四个黄豆,成本不变的情况下,存储空间较大。要知道这个纸张(芯片晶圆)价格也十分昂贵的,也就是说同样的晶圆如果做成SLC只有128G,做成MLC就有256G了,做成TLC的话变成512G,而做成QLC我们可以做成更大容量,而成本是相同的。


              QLC颗粒

              QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比

              SLC(单层存储单元)

              全称是Single-Level Cell,单层电子结构,每个cell可以存放1bit数据,SLC达到1bit/cell,写入数据的时候电压变化区间小,P/E寿命较长,理论擦写次数在10万次以上,但是由于成本最高,所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。

              MLC(双层存储单元)

              全称是Multi-Level Cell,使用高低电压的而不同构建的双层电子结构,MLC达到2bit/cell,P/E寿命较长,理论擦写次数在3000-5000次左右,成本相对较高,但是对于消费级来说也可以接受,多用于家用级高端产品中。

              TLC(三层存储单元)

              全称是Trinary-Level Cell,三层式存储单元,是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,由于存储密度较高,所以容量理论上是MLC的1.5倍,成本较低,但是P/E寿命相对要低一些,理论擦写次数在1000-3000次不等,是目前市面上主流的闪存颗粒。



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              编辑:陈可

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